제목 | 화공생명공학과 허성연 교수, 프린스턴대학과 공동 연구 ACS Energy Letters 논문 게재 | ||||
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작성자 | 홍보실 | 조회수 | 3045 | 날짜 | 2022-01-12 |
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화공생명공학과 허성연 교수(제1저자)가 프린스턴대학교 전기전자과의 Barry Rand 교수 연구팀, Antoine Kahn 교수 연구팀, 화학과의 Andrew Bocarsly 교수 연구팀과의 공동연구를 통하여 할로겐 페로브스카이트 나노 입자 박막의 성공적인 전기화학적 n-타입 도핑을 입증하였고, 본 연구 성과를 에너지분야 세계적 학술지인 ACS Energy Letters (IF: 23.101) 22년 1월호에 게재하였다.
하지만, 할로겐 페로브스카이트 물질의 도핑은 할로겐 물질의 전기화학적 불안정성에 의해서 n-타입으로 전기화학적 도핑이 불가능하다고 여겨졌다.
본 연구에서는 나노 입자 박막의 본질적 기공 특성을 이용하고, 안정한 전기화학적 인가 전압 범위를 설정하여 전압 인가를 통해 물질의 안정성을 확보하는 동시에 n-타입으로 도핑을 수행하였다. 분광법을 이용하여 성공적으로 n-타입 도핑이 수행되었음을 확인하였고, 최종적으로 전기 전도도 및 발광 특성이 향상됨을 확인할 수 있었다.
본 연구를 통해 전기화학적 방법이 할로겐 페로브스카이트 물질의 도핑에 이용될 수 있음을 보여주었고, 향후 소자로의 적용 가능성을 시사하였다.
[논문 정보]
저널명: ACS Energy Letters (IF: 23.101) 논문 제목: Electrochemically n-Doped CsPbBr3 Nanocrystal Thin Films (https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsenergylett.1c02554) 저자: Sungyeon Heo, Kwangdong Roh, Fengyu Zhang, Steven E. Tignor, Andrew B. Bocarsly, Antoine Kahn, Barry P. Rand9 |